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多項(xiàng)選擇題

下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。

A.CF₄
B.BCl₃
C.Cl₂
D.F₂
E.CHF₃

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單項(xiàng)選擇題

為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。

A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅

單項(xiàng)選擇題

銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行，而必須施以（）。

A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕

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