多項選擇題下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3
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1.單項選擇題為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅
2.單項選擇題銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
3.單項選擇題濺鍍法，因為其階梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。
A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯
4.單項選擇題不可以對SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
5.單項選擇題大硅片上生長的（）的不均勻和各個部位刻蝕速率的不均勻會導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長度
D.圖形間隔
最新試題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
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題型：單項選擇題
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題型：單項選擇題
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