單項(xiàng)選擇題濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。
A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯(cuò)
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1.單項(xiàng)選擇題不可以對(duì)SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
2.單項(xiàng)選擇題大硅片上生長(zhǎng)的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長(zhǎng)度
D.圖形間隔
3.單項(xiàng)選擇題刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測(cè)量刻蝕過(guò)程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
4.多項(xiàng)選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴(kuò)散區(qū)
E.源漏區(qū)
5.單項(xiàng)選擇題（）是測(cè)量在刻蝕過(guò)程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時(shí)間
最新試題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕的過(guò)程中，對(duì)刻蝕的要求是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應(yīng)用于（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題