單項(xiàng)選擇題為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅
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1.單項(xiàng)選擇題銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無法以化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
2.單項(xiàng)選擇題濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。
A.鳥嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯(cuò)
3.單項(xiàng)選擇題不可以對(duì)SiO2進(jìn)行干法刻蝕所使用的氣體是（）。
A.CHF3
B.C2F6
C.C3F8
D.HF
4.單項(xiàng)選擇題大硅片上生長(zhǎng)的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長(zhǎng)度
D.圖形間隔
5.單項(xiàng)選擇題刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測(cè)量刻蝕過程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
試說明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：?jiǎn)柎痤}
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題