單項(xiàng)選擇題

在刻蝕（）過程中假如我們在CF₅的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。

A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅

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多項(xiàng)選擇題

下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。

A.CF₄
B.BCl₃
C.Cl₂
D.F₂
E.CHF₃

單項(xiàng)選擇題

為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。

A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅

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