單項(xiàng)選擇題大硅片上生長(zhǎng)的（）的不均勻和各個(gè)部位刻蝕速率的不均勻會(huì)導(dǎo)致刻蝕圖形轉(zhuǎn)移的不均勻性。
A.薄膜厚度
B.圖形寬度
C.圖形長(zhǎng)度
D.圖形間隔
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1.單項(xiàng)選擇題刻蝕要求在整個(gè)晶圓上有一個(gè)均勻的刻蝕速率，（）是在晶圓上由測(cè)量刻蝕過程前后特定點(diǎn)的厚度，并計(jì)算這些點(diǎn)的刻蝕速率而得到的。
A.選擇性
B.均勻性
C.輪廓
D.刻蝕圖案
2.多項(xiàng)選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴(kuò)散區(qū)
E.源漏區(qū)
3.單項(xiàng)選擇題（）是測(cè)量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時(shí)間
4.單項(xiàng)選擇題電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
5.單項(xiàng)選擇題由于干法刻蝕中是同時(shí)對(duì)晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
最新試題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
說明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題