多項(xiàng)選擇題屬于鋁的性質(zhì)有()。
A.電阻低
B.抗電遷移特性好
C.對硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的純度
E.易于光刻
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1.單項(xiàng)選擇題下列材料中電阻率最低的是()。
A.鋁
B.銅
C.多晶硅
D.金
2.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中,與氮化硅比較,二氧化硅更適合應(yīng)用在()。
A.晶圓頂層的保護(hù)層
B.多層金屬的介質(zhì)層
C.多晶硅與金屬之間的絕緣層
D.摻雜阻擋層
E.晶圓片上器件之間的隔離
3.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中,如果淀積的薄膜不是連續(xù)的,存在一些空隙,則()。
A.使薄膜的介電常數(shù)變大
B.可能引入雜質(zhì)
C.可能使薄膜層間短路
D.使薄膜介電常數(shù)變小
E.可能使薄膜厚度增加
4.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體工藝中,淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有()。
A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應(yīng)力
D.純凈度
E.電容
5.單項(xiàng)選擇題為了防止抽氣設(shè)備對離子注入系統(tǒng)的油污染,可在靶室前增加一個(gè)()或采用無油泵。
A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵
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最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn),又有可接受的選擇比的刻蝕方法是()。
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題型:單項(xiàng)選擇題