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多項選擇題
在半導(dǎo)體工藝中,淀積的薄膜層應(yīng)滿足的參數(shù)包含有()。
A.均勻性
B.表面平整度
C.自由應(yīng)力
D.純凈度
E.電容
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單項選擇題
為了防止抽氣設(shè)備對離子注入系統(tǒng)的油污染,可在靶室前增加一個()或采用無油泵。
A.液氮冷阱
B.凈化阱
C.抽氣阱
D.無氣泵
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單項選擇題
離子源的基本結(jié)構(gòu)是由產(chǎn)生高密度等離子體的()和引出部分組成。
A.電極
B.分析器
C.加速器
D.腔體
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