多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。

A.晶圓頂層的保護(hù)層
B.多層金屬的介質(zhì)層
C.多晶硅與金屬之間的絕緣層
D.摻雜阻擋層
E.晶圓片上器件之間的隔離

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