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問答題
【論述題】采用無定形掩膜的情況下進行注入，若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000，掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少？用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達式。
答案：
無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示：
其中，Rp為投影射程，ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差，&p...
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問答題
【論述題】離子在靶內(nèi)運動時，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系？
答案：
①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...
問答題
【論述題】
下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。（1）給出1~6數(shù)字標(biāo)識部分的名稱，簡述其作用。（2）闡述部件2的工作原理。
答案：
1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用：產(chǎn)生注入用的離子原理...
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