問答題

【論述題】采用無定形掩膜的情況下進行注入,若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000,掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少?用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫出表達式。

答案: 無定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示:
其中,Rp為投影射程,ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差,&p...
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問答題

【論述題】離子在靶內(nèi)運動時,損失能量可分核阻滯和電子阻滯,解釋什么是核阻滯、電子阻滯?兩種阻滯本領(lǐng)與注入離子能量具有何關(guān)系?

答案: ①碰撞注入離子與靶內(nèi)原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質(zhì)量一般為同一數(shù)量級,每次碰撞之后,注入離子都可能發(fā)生大角...
問答題

【論述題】

下圖為一個典型的離子注入系統(tǒng)。(1)給出1~6數(shù)字標(biāo)識部分的名稱,簡述其作用。(2)闡述部件2的工作原理。

答案: 1.離子源2.分析磁塊3.加速器4.中性束閘5.x&y掃描板6.法拉第杯
1.離子源作用:產(chǎn)生注入用的離子原理...
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