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半導(dǎo)體芯片制造工半導(dǎo)體制造技術(shù)問(wèn)答題每日一練(2019.05.13)
來(lái)源:考試資料網(wǎng)
1.問(wèn)答題
采用無(wú)定形掩膜的情況下進(jìn)行注入,若掩蔽膜/襯底界面的雜質(zhì)濃度減少至峰值濃度的1/10000,掩蔽膜的厚度應(yīng)為多少?用注入雜質(zhì)分布的射程和標(biāo)準(zhǔn)偏差寫(xiě)出表達(dá)式。
參考答案:
無(wú)定形靶內(nèi)的縱向濃度分布可用高斯函數(shù)表示:
其中,Rp為投影射程,ΔRp為投影射程的標(biāo)準(zhǔn)偏差,&p...
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2.問(wèn)答題
什么是光刻中常見(jiàn)的表面反射和駐波效應(yīng)?如何解決?
參考答案:
表面反射——穿過(guò)光刻膠的光會(huì)從晶圓片表面反射出來(lái),從而改變投入光刻膠的光學(xué)能量。當(dāng)晶圓片表面有高...
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3.問(wèn)答題
寫(xiě)出菲克第一定律和第二定律的表達(dá)式,并解釋其含義。
參考答案:
費(fèi)克第一定律:C雜質(zhì)濃度;D擴(kuò)散系數(shù)(單位為cm2/s)J材料凈流量(單位時(shí)間內(nèi)流過(guò)單位面積的原子個(gè)數(shù))解釋?zhuān)喝绻谝粋€(gè)...
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4.問(wèn)答題
分別畫(huà)出單大馬士革和雙大馬士革工藝流程圖。
參考答案:
5.問(wèn)答題
什么是擴(kuò)散效應(yīng)?什么是自摻雜效應(yīng)?這兩個(gè)效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化?
參考答案:
擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì),在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散,引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...
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