<table id="elkrq"><wbr id="elkrq"><center id="elkrq"></center></wbr></table>

<video id="elkrq"><th id="elkrq"></th></video>

<tr id="elkrq"><sup id="elkrq"></sup></tr>

集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.24)

單項(xiàng)選擇題
電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體硅常用的受主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硫
C.硼
D.磷
單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體硅常用的施主雜質(zhì)是（）。
A.錫
B.硫
C.硼
D.磷
單項(xiàng)選擇題
在空位擴(kuò)散中，如果遷移到空位的原子是基質(zhì)原子，擴(kuò)散屬于（）。
A.推擠擴(kuò)散
B.雜質(zhì)擴(kuò)散
C.填隙擴(kuò)散
D.自擴(kuò)散
單項(xiàng)選擇題
為了避免（）在經(jīng)過氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅