半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.07.13)

來源：考試資料網

1 將預先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來進行曝光的方法，稱為（）曝光。

2.問答題單晶片切割的質量要求有哪些？

晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

3.填空題熱分解化學氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經過熱分解反應，在基片表面淀積二氧化硅。

參考答案：含有硅的化合物

4.問答題 以P₂O₂為例說明SiO₂的掩蔽過程。

參考答案：以P₂O₂雜質源為例來說明SiO₂的掩蔽過程：當P

5.問答題簡述你所在工藝的工藝質量要求？你如何檢查你的工藝質量？

參考答案：外延要求：1.集電極擊穿電壓要求
2.集電極串聯電阻要小.
...

6 器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來實現。

7 禁帶寬度的大小決定著電子從價帶跳到導帶的難易，一般半導體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產生變化。

8.填空題全定制、半定制版圖設計中用到的單元庫包含（）、（）、（）和（）。

參考答案：符號圖；抽象圖；線路圖；版圖

9.判斷題光致抗蝕劑在曝光前對某些溶劑是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物質，這一類抗蝕劑稱為負性光致抗蝕劑，由此組成的光刻膠稱為負性膠。（）

10.問答題熱退火用于消除離子注入造成的損傷，溫度要低于雜質熱擴散的溫度，然而，雜質縱向分布仍會出現高斯展寬與拖尾現象，解釋其原因。

參考答案：離子注入后會對晶格造成簡單晶格損傷和非晶層形成；損傷晶體空位密度大于非損傷晶體，且存在大量間隙原子和其他缺陷，使擴散系數...