單項選擇題器件的橫向尺寸控制幾乎全由()來實現(xiàn)。
A.掩膜版
B.擴散
C.光刻
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1.單項選擇題反應(yīng)離子腐蝕是()。
A.化學刻蝕機理
B.物理刻蝕機理
C.物理的濺射刻蝕和化學的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合
2.單項選擇題恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學上稱為()分布。
A.高斯
B.余誤差
C.指數(shù)
3.單項選擇題常用膠粘劑有熱固性樹脂、熱塑性樹脂和橡膠型膠粘劑3大類。半導體器件的粘封工藝一般選用()。
A.熱塑性樹脂
B.熱固性或橡膠型膠粘劑
4.單項選擇題在低溫玻璃密封工藝中,常用的運載劑由2%(質(zhì)量比)的硝化纖維素溶解于98%(質(zhì)量比)的醋酸異戊酯或松油醇中制得,再將20%的運載劑與()的玻璃料均勻混合,配成印刷漿料。
A.80%~90%
B.10%~20%
C.40%-50%
5.單項選擇題超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接,焊接處依靠()封接,因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。
A.管帽變形
B.鍍金層的變形
C.底座變形
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最新試題
恒定表面源擴散的雜質(zhì)分布在數(shù)學上稱為()分布。
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