半導體芯片制造工半導體芯片制造中級工章節(jié)練習(2019.05.10)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題外延生長方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機化學氣相外延、分子束外延、（）、固相外延等。

參考答案：化學氣相；液相；原子束外延

2.判斷題遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度，另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電導率就越高。（）

3 硅外延生長工藝包括（）。

4.判斷題在半導體集成電路中，各元器件都是制作在同一晶片內。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響，就必須使它們在電性能上相互絕緣。（）

5.判斷題表面鈍化工藝是在半導體芯片表面復蓋一層保護膜，使器件的表面與周圍氣氛隔離。（）

6.填空題半導體材料有兩種載流子參加導電，具有兩種導電類型。一種是（），另一種是（）。

參考答案：電子；空穴

7 腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）

8.填空題對標準單元設計EDA系統(tǒng)而言，標準單元庫應包含以下內容：（）、和（）、（）、（）。

參考答案：邏輯單元符號庫；功能單元庫；拓撲單元庫；版圖單元庫

9.判斷題低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

10.判斷題厚膜漿料存在觸變性，流體受到外力作用時黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢復原狀。（）