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章節(jié)練習
半導體芯片制造工半導體芯片制造中級工章節(jié)練習(2019.05.10)
來源:考試資料網(wǎng)
1.填空題
外延生長方法比較多,其中主要的有()外延、()外延、金屬有機化學氣相外延、分子束外延、()、固相外延等。
參考答案:
化學氣相;液相;原子束外延
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2.判斷題
遷移率是反映半導體中載流子導電能力的重要參數(shù)。摻雜半導體的電導率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導率就越高。()
參考答案:
正確
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3
硅外延生長工藝包括()。
點擊查看答案
4.判斷題
在半導體集成電路中,各元器件都是制作在同一晶片內。因此要使它們起著預定的作用而不互相影響,就必須使它們在電性能上相互絕緣。()
參考答案:
正確
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5.判斷題
表面鈍化工藝是在半導體芯片表面復蓋一層保護膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()
參考答案:
正確
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6.填空題
半導體材料有兩種載流子參加導電,具有兩種導電類型。一種是(),另一種是()。
參考答案:
電子;空穴
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7
腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用()
點擊查看答案
8.填空題
對標準單元設計EDA系統(tǒng)而言,標準單元庫應包含以下內容:()、和()、()、()。
參考答案:
邏輯單元符號庫;功能單元庫;拓撲單元庫;版圖單元庫
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9.判斷題
低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便,但膜不夠致密,耐潮性和抗離子沾污能力較差。()
參考答案:
正確
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10.判斷題
厚膜漿料存在觸變性,流體受到外力作用時黏度迅速下降,外力消失后,黏度迅速恢復原狀。()
參考答案:
正確
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