多項(xiàng)選擇題硅外延生長(zhǎng)工藝包括()。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長(zhǎng)溫度,生長(zhǎng)壓力,生長(zhǎng)速度
D.尾氣的處理


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1.單項(xiàng)選擇題位錯(cuò)的形成原因是()。

A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?br /> B.位錯(cuò)就是由重力造成的
C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?br /> D.以上答案都不對(duì)

2.單項(xiàng)選擇題下列晶體管結(jié)構(gòu)中,在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是:()

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)

3.單項(xiàng)選擇題腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用()

A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸

4.單項(xiàng)選擇題說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫():

A、邏輯設(shè)計(jì)
B、物理設(shè)計(jì)
C、電路設(shè)計(jì)
D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)

5.單項(xiàng)選擇題屬于絕緣體的正確答案是()。

A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液

最新試題

表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()

題型:判斷題

晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()

題型:判斷題

干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。()

題型:判斷題

目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()

題型:判斷題

拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率,載流子濃度,遷移率,直徑、厚度、主參考面等。()

題型:判斷題

離子源是產(chǎn)生離子的裝置。()

題型:判斷題

集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?

題型:?jiǎn)柎痤}

單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列,并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。()

題型:判斷題

光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì),這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑,由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。()

題型:判斷題

半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.()

題型:判斷題