A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長(zhǎng)溫度,生長(zhǎng)壓力,生長(zhǎng)速度
D.尾氣的處理
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A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?br />
B.位錯(cuò)就是由重力造成的
C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?br />
D.以上答案都不對(duì)
A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)
A、鹽酸
B、硫酸
C、硝酸
D、氫氟酸
A、邏輯設(shè)計(jì)
B、物理設(shè)計(jì)
C、電路設(shè)計(jì)
D、系統(tǒng)設(shè)計(jì)
A.金屬、石墨、人體、大地
B.橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、鍺、砷化鎵、磷化銦
D.各種酸、堿、鹽的水溶液
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最新試題
表面鈍化工藝是在半導(dǎo)體芯片表面復(fù)蓋一層保護(hù)膜,使器件的表面與周圍氣氛隔離。()
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
干法腐蝕清潔、干凈、無(wú)脫膠現(xiàn)象、圖形精度和分辨率高。()
目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()
拋光片的電學(xué)參數(shù)包括電阻率,載流子濃度,遷移率,直徑、厚度、主參考面等。()
離子源是產(chǎn)生離子的裝置。()
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?
單晶是原子或離子沿著三個(gè)不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列,并沿一致的晶體學(xué)取向所堆垛起來(lái)的遠(yuǎn)程有序的晶體。()
光致抗蝕劑在曝光前對(duì)某些溶劑是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物質(zhì),這一類抗蝕劑稱為負(fù)性光致抗蝕劑,由此組成的光刻膠稱為負(fù)性膠。()
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.()