多項(xiàng)選擇題

硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。

A.襯底制備
B.原位HCl腐蝕
C.生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度
D.尾氣的處理

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單項(xiàng)選擇題

位錯(cuò)的形成原因是（）。

A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻?br /> B.位錯(cuò)就是由重力造成的
C.位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻?br /> D.以上答案都不對(duì)

單項(xiàng)選擇題

下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：（）

A、單基極條圖形
B、雙基極條圖形
C、基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)
D、梳狀結(jié)構(gòu)