厚膜元件材料的粉末顆粒越小、表面形狀謦復雜，比表面積就越大，則表面自由能也就越高，對燒結越有利。（）

設備、試劑、氣瓶等所有物品不需經嚴格清潔處理，可直接進入凈化區(qū)。（）

片狀源擴散具有設備簡單，操作方便，晶片缺陷少，均勻性、重復性和表面質量都較好，適于批量生產，應用越來越普遍。（）

在半導體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

干法腐蝕清潔、干凈、無脫膠現象、圖形精度和分辨率高。（）

點缺陷，如空位、間隙原子、反位缺陷、替位缺陷，和由它們構成的復合體。（）

單晶是原子或離子沿著三個不同的方向按一定的周期有規(guī)則的排列，并沿一致的晶體學取向所堆垛起來的遠程有序的晶體。（）

低溫淀積二氧化硅生長溫度低、制作方便，但膜不夠致密，耐潮性和抗離子沾污能力較差。（）

光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

鈀．銀電阻的燒結分預燒結、燒結、降溫冷卻三個階段。（）