單項選擇題對摩爾定律描述不正確的是（）。
A.集成度每18月翻一番
B.最小特征尺寸每3年減小50%
C.最小特征尺寸每3年減小70%
D.集成度每三年翻一番
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項選擇題因為離子注入所引起的簡單或復(fù)雜的缺陷統(tǒng)稱為（）。?
A.晶格損傷
B.晶格缺陷
C.晶胞損傷
D.晶胞缺陷
2.單項選擇題根據(jù)擴散源的不同，有三種不同擴散工藝，以下不是的是（）。?
A.固態(tài)源擴散
B.液態(tài)源擴散
C.替位式擴散
D.氣態(tài)源擴散
3.單項選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積（預(yù)擴散）、再分布（主擴散）兩步，預(yù)淀積是惰性氣氛下的（）。?
A.恒定源擴散
B.有限源擴散
C.間隙式擴散
D.替位式擴散
4.單項選擇題以下不是擴散工藝的重要參數(shù)是（）。?
A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量
5.單項選擇題固相擴散是通過微觀粒子一系列隨機跳躍來實現(xiàn)的，主要有三種方式。如下不是固相擴散方式的是（）。?
A.間隙式擴散
B.替位式擴散
C.熱運動
D.間隙—替位式擴散
最新試題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個數(shù)。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：單項選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項選擇題
下面選項中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：單項選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進行有效的切除。
題型：判斷題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題