單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散源的不同，有三種不同擴(kuò)散工藝，以下不是的是（）。?

A.固態(tài)源擴(kuò)散
B.液態(tài)源擴(kuò)散
C.替位式擴(kuò)散
D.氣態(tài)源擴(kuò)散


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1.單項(xiàng)選擇題兩步工藝分為預(yù)淀積（預(yù)擴(kuò)散）、再分布（主擴(kuò)散）兩步，預(yù)淀積是惰性氣氛下的（）。?

A.恒定源擴(kuò)散
B.有限源擴(kuò)散
C.間隙式擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散

2.單項(xiàng)選擇題以下不是擴(kuò)散工藝的重要參數(shù)是（）。?

A.表面濃度
B.雜質(zhì)類型
C.結(jié)深
D.摻入雜質(zhì)總量

3.單項(xiàng)選擇題固相擴(kuò)散是通過微觀粒子一系列隨機(jī)跳躍來實(shí)現(xiàn)的，主要有三種方式。如下不是固相擴(kuò)散方式的是（）。?

A.間隙式擴(kuò)散
B.替位式擴(kuò)散
C.熱運(yùn)動(dòng)
D.間隙—替位式擴(kuò)散

4.單項(xiàng)選擇題通過定域、定量擴(kuò)散摻雜，不能實(shí)現(xiàn)的目的是（）。?

A.改變半導(dǎo)體導(dǎo)電類型
B.改變電阻率
C.形成PN結(jié)
D.形成隔離

5.單項(xiàng)選擇題集成電路版圖設(shè)計(jì)中不是MOS管的可變參數(shù)是（）。?

A.柵長（gate_length）
B.氧化層厚度
C.柵寬（gate_width）
D.柵指數(shù)（gates）