IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

光刻工藝對準誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）