問(wèn)答題工藝檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展方向？
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1.問(wèn)答題ULSI對(duì)多層互連系統(tǒng)的要求？
2.問(wèn)答題常見的終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備有那些？
3.問(wèn)答題干法刻蝕是如何分類和定義的？
4.問(wèn)答題光刻設(shè)備主要有那些？
5.問(wèn)答題后光刻時(shí)代有那些光刻新技術(shù)？
最新試題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題