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填空題當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加反向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（）。

1.填空題當(dāng)對(duì)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì)（），勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì)（）。

2.填空題PN結(jié)的摻雜濃度越高，則勢(shì)壘區(qū)的長(zhǎng)度就越（），內(nèi)建電場(chǎng)的最大值就越（），內(nèi)建電勢(shì)Vbi就越（），反向飽和電流I0就越（），勢(shì)壘電容CT就越（），雪崩擊穿電壓就越（）。

3.填空題當(dāng)采用耗盡近似時(shí)，由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出，摻雜濃度越高，則內(nèi)建電場(chǎng)的斜率越（）。

4.填空題在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中，P區(qū)一側(cè)帶（）電荷，N區(qū)一側(cè)帶（）電荷。內(nèi)建電場(chǎng)的方向是從（）區(qū)指向（）區(qū)。

5.名詞解釋MOSFET本征電容