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填空題
當(dāng)采用耗盡近似時,由N 型耗盡區(qū)中的泊松方程可以看出,摻雜濃度越高,則內(nèi)建電場的斜率越()。
答案:
大
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填空題
在PN結(jié)的空間電荷區(qū)中,P區(qū)一側(cè)帶()電荷,N區(qū)一側(cè)帶()電荷。內(nèi)建電場的方向是從()區(qū)指向()區(qū)。
答案:
負(fù);正;N;P
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名詞解釋
MOSFET本征電容
答案:
即交流小信號或大信號工作時電路的等效電容,它包括柵漏電容和柵源電容,柵漏電容是柵源電壓不變、漏源電壓變化引起溝道電荷的變...
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