芯片粘接的工藝過程包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

常壓的硅外延方法有（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。