光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。