問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】異質(zhì)外延對(duì)襯底和外延層有什么要求？

答案： 對(duì)于B/A型的異質(zhì)外延，在襯底A上能否外延生長(zhǎng)B，外延層B晶格能否完好，受襯底A與外延層B的兼容性影響。襯底與外延層的兼...
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【簡(jiǎn)答題】硅氣相外延工藝采用的襯底不是準(zhǔn)確的晶向，通常偏離（100）或（111）等晶向一個(gè)小角度，為什么？
答案： 從硅氣相外延工藝原理可知，硅外延生長(zhǎng)的表面外延過(guò)程是外延劑在襯底表面被吸附后分解出Si原子，他遷移到達(dá)結(jié)點(diǎn)位置停留，之后...
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【簡(jiǎn)答題】比較硅單晶錠CZ、MCZ和FZ三種生長(zhǎng)方法的優(yōu)缺點(diǎn)？
答案： CZ法工藝成熟可拉制大直徑硅錠，但受坩鍋熔融帶來(lái)的O等雜質(zhì)濃度高，存在一定雜質(zhì)分布，因此，相對(duì)于MCZ和FZ法，生長(zhǎng)的硅...
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