問(wèn)答題硅氣相外延工藝采用的襯底不是準(zhǔn)確的晶向，通常偏離（100）或（111）等晶向一個(gè)小角度，為什么？
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2.問(wèn)答題從短期看，太陽(yáng)能電池的發(fā)展趨勢(shì)怎樣？
3.問(wèn)答題寫(xiě)出單晶硅太陽(yáng)能電池的主要工藝。
4.問(wèn)答題太陽(yáng)能電池有那些主要技術(shù)指標(biāo)？
5.問(wèn)答題太陽(yáng)能電池的工作原理是什么？
最新試題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題