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問答題
【簡答題】硅氣相外延工藝采用的襯底不是準(zhǔn)確的晶向，通常偏離（100）或（111）等晶向一個小角度，為什么？
答案：
從硅氣相外延工藝原理可知，硅外延生長的表面外延過程是外延劑在襯底表面被吸附后分解出Si原子，他遷移到達(dá)結(jié)點位置停留，之后...
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問答題
【簡答題】比較硅單晶錠CZ、MCZ和FZ三種生長方法的優(yōu)缺點？
答案：
CZ法工藝成熟可拉制大直徑硅錠，但受坩鍋熔融帶來的O等雜質(zhì)濃度高，存在一定雜質(zhì)分布，因此，相對于MCZ和FZ法，生長的硅...
問答題
【簡答題】從短期看，太陽能電池的發(fā)展趨勢怎樣？
答案：
今后發(fā)展的重點仍是硅太陽能電池特別是多晶硅和非晶硅薄膜電池，提高轉(zhuǎn)換效率和降低成本是太陽能電池制備中考慮的兩個主要因素。...
