多項(xiàng)選擇題CMOSIC通常采取那種隔離方法（）
A.局部場(chǎng)氧化
B.淺槽隔離
C.pn結(jié)隔離
D.混合隔離
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1.多項(xiàng)選擇題可以采取哪種方法來(lái)提高光刻分辨率（）
A.增長(zhǎng)光源波長(zhǎng)
B.增大分辨率系數(shù)
C.減小分辨率系數(shù)
D.縮短光源波長(zhǎng)
2.多項(xiàng)選擇題下列哪個(gè)工藝方法應(yīng)用了等離子體技術(shù)（）
A.RIE
B.MOCVD
C.濺射
D.LPCVD
3.單項(xiàng)選擇題實(shí)際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時(shí)外延速率（）
A.對(duì)溫度不太敏感
B.對(duì)溫度非常敏感
C.源的氣相擴(kuò)散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
最新試題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題