單項(xiàng)選擇題實(shí)際VPE工藝溫度多在質(zhì)量傳遞控制區(qū)，此時(shí)外延速率（）
A.對(duì)溫度不太敏感
B.對(duì)溫度非常敏感
C.源的氣相擴(kuò)散的影響不大
D.源氣體分壓的影響不大
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3.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
5.多項(xiàng)選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
最新試題
芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題
鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。
題型：判斷題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題