判斷題涂膠前的打底膜是為了增強(qiáng)光刻膠與襯底之間的浸潤性。
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2.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
4.多項選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
5.單項選擇題PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）
A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差
最新試題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項選擇題
摻雜后，退火的目的是（）。
題型：多項選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：單項選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項選擇題
下面哪個選項不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項選擇題