判斷題實(shí)際擴(kuò)散工藝通過調(diào)整爐溫比調(diào)整擴(kuò)散時間對結(jié)深的影響更大。
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1.判斷題中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
3.多項(xiàng)選擇題蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因（）
A.為了避免蒸發(fā)分子（或原子）被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子（或原子）的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
4.單項(xiàng)選擇題PVD與CVD比較，下列哪種說法正確（）
A.CVD普適性更好
B.PVD薄膜的保形性更好
C.CVD工藝溫度更低
D.PVD薄膜與襯底的粘附性較差
5.單項(xiàng)選擇題下列晶體缺陷中對其擴(kuò)散速率影響最大的是（）
A.空位
B.填隙雜質(zhì)
C.自填隙
D.替位雜質(zhì)
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光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。
題型：判斷題
化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）
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芯片粘接的工藝過程包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
互連工藝中AL的制備可選用（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題