下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）