鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。