你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

單項(xiàng)選擇題

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)

^{<table id="yywve"></table>}<samp id="yywve"><tbody id="yywve"><bdo id="yywve"></bdo></tbody></samp>

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

你可能感興趣的試題

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）