鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）