單項(xiàng)選擇題

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低

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多項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)

單項(xiàng)選擇題

鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）

A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入

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