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單項(xiàng)選擇題

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

A.球狀沉淀
B.片狀沉淀
C.棒狀沉淀
D.多面體沉淀

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單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
A.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
B.加料--熔化--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--等徑生長(zhǎng)--收尾
C.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)-放肩生長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--收尾
D.加料--熔化--等徑生長(zhǎng)長(zhǎng)--縮頸生長(zhǎng)--放肩生長(zhǎng)--收尾
單項(xiàng)選擇題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
A.不需要坩堝
B.避免了容器污染
C.更易獲得高純度硅
D.成本低
多項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
A.鈍化晶界
B.鈍化錯(cuò)位
C.鈍化電活性雜質(zhì)
單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
A.頭尾料和鍋底料中含有的氧
B.晶體生長(zhǎng)過(guò)程中硅熔體與石英坩堝作用引入的氧
C.石墨加熱器與坩堝反應(yīng)引入的氧
D.外界空氣的進(jìn)入
單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過(guò)渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布
單項(xiàng)選擇題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定
單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
單項(xiàng)選擇題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段？（）
A、6
B、2
C、4
D、5
單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
A、加料—縮頸生長(zhǎng)—熔化—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
B、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
C、加料—熔化—等徑生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—縮頸生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)
D、加料—熔化—縮頸生長(zhǎng)—放肩生長(zhǎng)—等徑生長(zhǎng)—尾部生長(zhǎng)