A、位錯(cuò)
B、層錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、螺旋位錯(cuò)
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A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來(lái)的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散，p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散；若p-n結(jié)開(kāi)路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生開(kāi)路電壓。
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
A、低于
B、等于或大于
C、大于
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
最新試題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法