懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。