多項(xiàng)選擇題關(guān)于預(yù)鋪PY類防水卷材物理力學(xué)性能下列說法正確的是()。
A、拉力指標(biāo)≥800N/50mm
B、最大拉力時(shí)伸長率指標(biāo)≥40%
C、耐熱性指標(biāo)為70℃,2h無位移、流淌、滴落
D、低溫柔性指標(biāo)為-25℃,無裂紋
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1.多項(xiàng)選擇題GB18242-2008中PYⅠ類與GB18243-2008中PYⅠ類物理力學(xué)性能相同的有()。
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
2.多項(xiàng)選擇題GB/T23457-2009中濕鋪卷材PYⅠ3.0mm與GB23441-2009中PYⅠ3.0mm物理力學(xué)性能不同的有()。
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
3.多項(xiàng)選擇題GB23441-2009中N類卷材PETⅠ型與PETⅡ型物理力學(xué)性能指標(biāo)不同的有()。
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
4.多項(xiàng)選擇題非燒結(jié)磚包括()。
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
5.多項(xiàng)選擇題外觀質(zhì)量檢查測量方法主要有()和色差。
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
題型:多項(xiàng)選擇題