多項(xiàng)選擇題GB18242-2008中PYⅠ類與GB18243-2008中PYⅠ類物理力學(xué)性能相同的有（）。
A、最大峰拉力
B、不透水性
C、最大峰時(shí)延伸率
D、耐熱性
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1.多項(xiàng)選擇題GB/T23457-2009中濕鋪卷材PYⅠ3.0mm與GB23441-2009中PYⅠ3.0mm物理力學(xué)性能不同的有（）。
A、拉力
B、低溫柔性
C、耐熱性
D、可溶物含量
2.多項(xiàng)選擇題GB23441-2009中N類卷材PETⅠ型與PETⅡ型物理力學(xué)性能指標(biāo)不同的有（）。
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
3.多項(xiàng)選擇題非燒結(jié)磚包括（）。
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
4.多項(xiàng)選擇題外觀質(zhì)量檢查測量方法主要有（）和色差。
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
5.多項(xiàng)選擇題蒸壓灰砂磚標(biāo)準(zhǔn)適用于以（）主要原料，允許摻入顏料和外加劑，經(jīng)坯料制備、壓制成型、蒸壓養(yǎng)護(hù)而成的實(shí)心灰砂磚。
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
最新試題
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項(xiàng)選擇題