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單項(xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
A、1234
B、123
C、2457
D、4567
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直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
A、6
B、2
C、4
D、5
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單項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝
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