PN結的基本特性是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）