多項選擇題GB23441-2009中N類卷材PETⅠ型與PETⅡ型物理力學性能指標不同的有（）。
A、不透水性
B、拉力
C、低溫柔性
D、耐熱性
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1.多項選擇題非燒結磚包括（）。
A、蒸壓灰砂磚
B、粉煤灰磚
C、爐渣磚
D、碳化磚
2.多項選擇題外觀質(zhì)量檢查測量方法主要有（）和色差。
A、缺損
B、裂紋
C、彎曲
D、雜質(zhì)凸出高度
3.多項選擇題蒸壓灰砂磚標準適用于以（）主要原料，允許摻入顏料和外加劑，經(jīng)坯料制備、壓制成型、蒸壓養(yǎng)護而成的實心灰砂磚。
A、水泥
B、粉煤灰
C、石灰
D、砂
4.多項選擇題蒸壓灰砂磚標準中根據(jù)蒸壓灰砂磚的顏色分為（）。
A、紅色
B、灰色
C、彩色
D、本色
5.多項選擇題蒸壓灰砂磚標準中，根據(jù)尺寸偏差和外觀質(zhì)量、強度及抗凍性將磚的質(zhì)量等級分為（）。
A、優(yōu)等品
B、一等品
C、二等品
D、合格品
最新試題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題