單項(xiàng)選擇題制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

A.氧及其相關(guān)缺陷
B.參雜濃度
C.以間隙鐵為主的過渡族金屬雜質(zhì)
D.材料中的缺陷密度及其分布


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1.單項(xiàng)選擇題改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

A.高能耗
B.成本低
C.產(chǎn)量高
D.質(zhì)量穩(wěn)定

3.單項(xiàng)選擇題直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

A、6
B、2
C、4
D、5

4.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

A、損壞
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、分凝

5.單項(xiàng)選擇題下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

A、加料—縮頸生長—熔化—放肩生長—等徑生長—尾部生長
B、加料—熔化—縮頸生長—等徑生長—放肩生長—尾部生長
C、加料—熔化—等徑生長—放肩生長—縮頸生長—尾部生長
D、加料—熔化—縮頸生長—放肩生長—等徑生長—尾部生長