單項(xiàng)選擇題人類的職業(yè)道德真正形成于（）。
A.原始社會
B.奴隸社會
C.封建社會
D.資本主義社會
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1.單項(xiàng)選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
2.多項(xiàng)選擇題以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
A.劑量與束流密度
B.射程與注入能量
C.注入角度
D.晶圓
3.單項(xiàng)選擇題光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
A.黃
B.紅
C.紫
D.藍(lán)
4.多項(xiàng)選擇題回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片
5.單項(xiàng)選擇題高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
A.416nm
B.405nm
C.365nm
D.740nm
6.多項(xiàng)選擇題最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
7.多項(xiàng)選擇題下列可能造成離子源沾污的因素是（）
A.離子源是否被沾污
B.真空系統(tǒng)是否漏氣
C.原材料是否滿足純度要求
D.光刻膠的堿性元素沾污
8.問答題敘述測試晶體管的方法？
10.單項(xiàng)選擇題環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設(shè)定于（）。
A.20℃
B.23℃
C.25℃
D.28℃
最新試題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：問答題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
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高壓汞燈作為紫外光源被使用有常規(guī)i線步進(jìn)光刻機(jī)上，那么i線的UV光波長為（）
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以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題