進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

新的平坦化方法有哪幾個？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

CMP的設備構(gòu)成包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

光刻工藝的特點包括（）。