下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

常壓的硅外延方法有（）。