互連工藝中AL的制備可選用（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

常壓的硅外延方法有（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。