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問答題
【論述題】CVD淀積過程中兩個主要的限制步驟是什么？它們分別在什么情況下會支配整個淀積速率？
答案：
CVD過程包括兩個部分：一、反應劑在邊界層中的輸運二、反應劑在襯底表面的化學反應存在兩種極限情況：①hg>>ks，Cs趨...
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問答題
【論述題】對于某種薄膜的CVD過程，淀積溫度為900℃，質(zhì)量傳輸系數(shù)hG=10cms-1，表面反應速率系數(shù)ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。現(xiàn)有以下兩種淀積系統(tǒng)可供選擇（1）冷壁，石墨支座型；（2）熱壁，堆放硅片型。應該選用哪種類型的淀積系統(tǒng)并簡述理由。
答案：
反應室類型熱壁：反應室腔壁與硅片及支撐件同時加熱。一般為電阻絲加熱，可精確控制反應腔溫度和均勻性。適合對溫度控制要求苛刻...
問答題
【論述題】
下圖是硅烷反應淀積多晶硅的過程，寫出發(fā)生反應的方程式，并簡述其中1～5各步的含義。
答案：
（1）反應氣體從腔體入口向晶圓片附近輸運；
（2）這些氣體反應生成系列次生分子；
（3）這些反應物輸...
（2）這些氣體反應生成系列次生分子；
（3）這些反應物輸...
