單項(xiàng)選擇題?以下哪一項(xiàng)不屬于擴(kuò)散的局限性？（）

A.工藝簡單
B.高溫、深結(jié)
C.不能獨(dú)立控制結(jié)深和濃度
D.橫向擴(kuò)散


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1.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的雜質(zhì)分布包括（）和有限表面源分布。

A.無限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布

2.單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義，其受以下哪個(gè)因素的影響最大？（）

A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度

3.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和（）。

A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散

4.多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用？（）

A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層

5.單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）

A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積